外腔大功率三有源区光子晶体垂直腔面发射半导体激光器

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	外腔大功率三有源区光子晶体垂直腔面发射半导体激光器
其他题名	外腔大功率三有源区光子晶体垂直腔面发射半导体激光器
	徐晨; 解意洋; 刘英明; 王宝强; 阚强; 王春霞
	2010-03-31
专利权人	北京工业大学
公开日期	2010-03-31
授权国家	中国
专利类型	实用新型
摘要	外腔大功率三有源区光子晶体垂直腔面发射半导体激光器，属于半导体光电子领域。普通的垂直腔面发射半导体激光器存在单程光增益小、多横模激射、单模输出功率低、阈值电流大、串联电阻大等问题。本实用新型在器件的有源区上采用了多有源区结构。同时将缺陷型光子晶体结构引入到垂直腔面发射半导体激光器的上DBR中，通过合理的优化光子晶体周期，空气孔径，刻蚀深度，器件直径，氧化孔径等，得到了单模工作氧化孔径几十微米、单模功率几个毫瓦、串联电阻几十欧姆、边模抑制35分贝以上的外腔式多有源区光子晶体垂直腔面发射半导体面发射激光器。
其他摘要	外腔大功率三有源区光子晶体垂直腔面发射半导体激光器，属于半导体光电子领域。普通的垂直腔面发射半导体激光器存在单程光增益小、多横模激射、单模输出功率低、阈值电流大、串联电阻大等问题。本实用新型在器件的有源区上采用了多有源区结构。同时将缺陷型光子晶体结构引入到垂直腔面发射半导体激光器的上DBR中，通过合理的优化光子晶体周期，空气孔径，刻蚀深度，器件直径，氧化孔径等，得到了单模工作氧化孔径几十微米、单模功率几个毫瓦、串联电阻几十欧姆、边模抑制35分贝以上的外腔式多有源区光子晶体垂直腔面发射半导体面发射激光器。
授权日期	2010-03-31
申请日期	2009-06-26
专利号	CN201435526Y
专利状态	失效
申请号	CN200920109744.1
公开（公告）号	CN201435526Y
IPC 分类号	H01S5/065 \| H01S5/06 \| H01S5/14 \| H01S5/183
专利代理人	刘萍
代理机构	北京思海天达知识产权代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/40216
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	北京工业大学
推荐引用方式 GB/T 7714	徐晨,解意洋,刘英明,等. 外腔大功率三有源区光子晶体垂直腔面发射半导体激光器. CN201435526Y[P]. 2010-03-31.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN201435526Y.PDF（549KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文