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一种基于侧向P-I-N结构的电吸收激光器及其制造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN106253055B, 申请日期: 2019-08-20, 公开日期: 2019-08-20
发明人:  万枫;  熊永华;  岳爱文;  王任凡;  曾笔鉴
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一种基于侧向P-I-N结构的电吸收激光器及其制造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN106253055B, 申请日期: 2019-08-20, 公开日期: 2019-08-20
发明人:  万枫;  熊永华;  岳爱文;  王任凡;  曾笔鉴
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一种热隔离的可调谐DBR激光器及其加工方法和使用方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN107453202B, 申请日期: 2019-06-04, 公开日期: 2019-06-04
发明人:  张明洋;  赵建宜;  王任凡;  岳爱文
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一种可调谐波长半导体激光器 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN105356292B, 申请日期: 2018-11-02, 公开日期: 2018-11-02
发明人:  赵建宜;  王任凡;  张明洋
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一种GaN基激光器制备方法和结构 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN105406358B, 申请日期: 2018-11-02, 公开日期: 2018-11-02
发明人:  李亮;  刘应军;  汤宝;  王任凡
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一种新型高速半导体激光器的制作方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN104966991B, 申请日期: 2018-07-10, 公开日期: 2018-07-10
发明人:  罗飚;  刘应军;  王任凡;  汤宝
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一种半导体激光器制作方法和结构 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN105356296B, 申请日期: 2018-07-10, 公开日期: 2018-07-10
发明人:  万枫;  熊永华;  王任凡;  罗飚
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一种DFB激光器及其制作方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN107946902A, 申请日期: 2018-04-20, 公开日期: 2018-04-20
发明人:  李亮;  刘应军;  刘巍;  王任凡
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一种基于双曝光工艺的DFB激光器和制作方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN107453204A, 申请日期: 2017-12-08, 公开日期: 2017-12-08
发明人:  胡忞远;  杨帆;  陈如山;  方娜;  刘巍;  金灿;  阳红涛;  刘应军;  王任凡
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一种可调谐半导体激光器 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN107425405A, 申请日期: 2017-12-01, 公开日期: 2017-12-01
发明人:  赵建宜;  王任凡;  岳爱文;  张明洋
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