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一种基于侧向P-I-N结构的电吸收激光器及其制造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN106253055B, 申请日期: 2019-08-20, 公开日期: 2019-08-20
发明人:  万枫;  熊永华;  岳爱文;  王任凡;  曾笔鉴
Adobe PDF(1414Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：103/0  |  提交时间：2019/12/26
一种基于侧向P-I-N结构的电吸收激光器及其制造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN106253055B, 申请日期: 2019-08-20, 公开日期: 2019-08-20
发明人:  万枫;  熊永华;  岳爱文;  王任凡;  曾笔鉴
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一种激光器芯片及其制作方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN109687284A, 申请日期: 2019-04-26, 公开日期: 2019-04-26
发明人:  万枫;  熊永华;  曾笔鉴;  余洁;  余斯佳;  陈如山
Adobe PDF(1185Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：95/0  |  提交时间：2020/01/18
一种部分光栅的电吸收调制激光器及其设计方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN107482473B, 申请日期: 2019-03-22, 公开日期: 2019-03-22
发明人:  万枫;  熊永华;  曾笔鉴;  余杰
Adobe PDF(741Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：102/0  |  提交时间：2019/12/23
一种倒台型高速半导体激光器芯片及其制备方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN109412020A, 申请日期: 2019-03-01, 公开日期: 2019-03-01
发明人:  程宗鸿;  李亮;  熊永华;  吴倩;  余斯佳;  岳爱文
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电吸收调制集成激光器芯片及其制作方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN109256675A, 申请日期: 2019-01-22, 公开日期: 2019-01-22
发明人:  万枫;  熊永华;  曾笔鉴;  余洁
Adobe PDF(1536Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：65/0  |  提交时间：2020/01/18
一种半导体激光器制作方法和结构 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN105356296B, 申请日期: 2018-07-10, 公开日期: 2018-07-10
发明人:  万枫;  熊永华;  王任凡;  罗飚
Adobe PDF(601Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：67/0  |  提交时间：2019/12/24
一种电吸收调制激光器及其制造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN106785916A, 申请日期: 2017-05-31, 公开日期: 2017-05-31
发明人:  熊永华;  万枫;  王任凡
Adobe PDF(186Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：56/0  |  提交时间：2020/01/18
一种提高电吸收调制激光器隔离电阻的方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN103094835A, 申请日期: 2013-05-08, 公开日期: 2013-05-08
发明人:  熊永华;  余向红;  王任凡
Adobe PDF(410Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：36/0  |  提交时间：2020/01/18
一种DFB激光器光栅及芯片的制作方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN103050888A, 申请日期: 2013-04-17, 公开日期: 2013-04-17
发明人:  王任凡;  刘应军;  阳红涛;  胡忞远;  熊永华
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