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半導体レーザ装置およびその製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3080643B2, 申请日期: 2000-06-23, 公开日期: 2000-08-28
发明人:  厚主 文弘;  猪口 和彦;  奥村 敏之;  滝口 治久
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半導体レーザ素子 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP2755357B2, 申请日期: 1998-03-06, 公开日期: 1998-05-20
发明人:  種谷 元隆;  工藤 裕章;  菅原 聰;  猪口 和彦;  中西 千登勢;  滝口 治久
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半導体レーザ素子及びその製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP2547459B2, 申请日期: 1996-08-08, 公开日期: 1996-10-23
发明人:  滝口 治久;  猪口 和彦;  厚主 文弘;  奥村 敏之;  坂根 千登勢;  菅原 聰;  中津 弘志
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半導体レーザ素子及びその製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP2547458B2, 申请日期: 1996-08-08, 公开日期: 1996-10-23
发明人:  中津 弘志;  猪口 和彦;  厚主 文弘;  奥村 敏之;  滝口 治久
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半導体レーザ素子及びその製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP1996034334B2, 申请日期: 1996-03-29, 公开日期: 1996-03-29
发明人:  厚主 文弘;  中津 弘志;  猪口 和彦;  奥村 敏之;  関 章憲;  滝口 治久
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分布帰還型半導体レーザ素子の製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1993037070A, 申请日期: 1993-02-12, 公开日期: 1993-02-12
发明人:  種谷 元隆;  猪口 和彦;  工藤 裕章;  中西 千登勢;  菅原 聰;  滝口 治久
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