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具有多层缓冲层结构的氮化物型半导体元件及其制造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN101859982A, 申请日期: 2010-10-13, 公开日期: 2010-10-13
发明人:  武良文;  简奉任
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氮化物外延层结构及其制作方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN100358166C, 申请日期: 2007-12-26, 公开日期: 2007-12-26
发明人:  温子稷;  涂如钦;  游正璋;  武良文;  简奉任
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