Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 具有多层缓冲层结构的氮化物型半导体元件及其制造方法 | |
| 其他题名 | 具有多层缓冲层结构的氮化物型半导体元件及其制造方法 |
| 武良文; 简奉任 | |
| 2010-10-13 | |
| 专利权人 | 山东璨圆光电科技有限公司 |
| 公开日期 | 2010-10-13 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 本发明公开了一种氮化物型半导体元件的多层缓冲层结构，该缓冲层结构包含由高温下成长的AlxInyGa1-x-yN所形成的第一层；以及由低温下成长的未掺杂或掺杂GaN型材料所形成的第二层。在由GaN型材料所形成的第二层中，掺杂Al或In；或是共掺杂下列元素组中的一组：Al/In、Si/In、Si/Al、Mg/In、Mg/Al、Si/Al/In及Mg/Al/In。在另一实施例中，该缓冲层结构包含GaN晶核层、AlInN薄层、GaN型主层、以及GaN型薄层，其中GaN晶核层于高温下成长，而其它层在较低温下成长。本发明氮化物型半导体元件的多层缓冲层结构能提升外延层结构质量。 |
| 其他摘要 | 本发明公开了一种氮化物型半导体元件的多层缓冲层结构，该缓冲层结构包含由高温下成长的AlxInyGa1-x-yN所形成的第一层；以及由低温下成长的未掺杂或掺杂GaN型材料所形成的第二层。在由GaN型材料所形成的第二层中，掺杂Al或In；或是共掺杂下列元素组中的一组：Al/In、Si/In、Si/Al、Mg/In、Mg/Al、Si/Al/In及Mg/Al/In。在另一实施例中，该缓冲层结构包含GaN晶核层、AlInN薄层、GaN型主层、以及GaN型薄层，其中GaN晶核层于高温下成长，而其它层在较低温下成长。本发明氮化物型半导体元件的多层缓冲层结构能提升外延层结构质量。 |
| 申请日期 | 2009-04-07 |
| 专利号 | CN101859982A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | CN200910057034.3 |
| 公开（公告）号 | CN101859982A |
| IPC 分类号 | H01S5/30 | H01L33/00 | H01L21/20 |
| 专利代理人 | 丁纪铁 |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90335 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 山东璨圆光电科技有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 武良文,简奉任. 具有多层缓冲层结构的氮化物型半导体元件及其制造方法. CN101859982A[P]. 2010-10-13. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN101859982A.PDF（496KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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