中文版 | English

在结果中检索

OPT OpenIR

浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助

已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
半導体発光素子の製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2001345520A, 申请日期: 2001-12-14, 公开日期: 2001-12-14
发明人:  中島 博;  橋本 茂樹;  朝妻 庸紀
Adobe PDF(61Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：57/0  |  提交时间：2020/01/13
半導体装置および半導体発光素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2000244070A, 申请日期: 2000-09-08, 公开日期: 2000-09-08
发明人:  橋本 茂樹;  簗嶋 克典;  池田 昌夫
Adobe PDF(107Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：72/0  |  提交时间：2020/01/13
窒化物系III-V族化合物半導体装置とその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2000082671A, 申请日期: 2000-03-21, 公开日期: 2000-03-21
发明人:  船戸 健次;  簗嶋 克典;  橋本 茂樹
Adobe PDF(85Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：45/0  |  提交时间：2020/01/18
窒化物系III-V族化合物半導体の成長方法、半導体装置の製造方法、窒化物系III-V族化合物半導体成長用基板および窒化物系III-V族化合物半導体成長用基板の製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1999243253A, 申请日期: 1999-09-07, 公开日期: 1999-09-07
发明人:  橋本 茂樹;  宮嶋 孝夫;  冨岡 聡;  秋本 克洋
Adobe PDF(68Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：246/0  |  提交时间：2019/12/31
半導体の成長方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1998144612A, 申请日期: 1998-05-29, 公开日期: 1998-05-29
发明人:  河合 弘治;  池田 昌夫;  中村 文彦;  橋本 茂樹;  朝妻 庸紀;  簗嶋 克典
Adobe PDF(57Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：99/0  |  提交时间：2020/01/18
p型窒化物系III-V族化合物半導体の成長方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1998112438A, 申请日期: 1998-04-28, 公开日期: 1998-04-28
发明人:  簗嶋 克典;  橋本 茂樹;  朝妻 庸紀;  池田 昌夫
Adobe PDF(179Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：79/0  |  提交时间：2019/12/31