半導体の成長方法

OPT OpenIR > 半导体激光器专利数据库

	半導体の成長方法
其他题名	半導体の成長方法
	河合弘治; 池田昌夫; 中村文彦; 橋本茂樹; 朝妻庸紀; 簗嶋克典
	1998-05-29
专利权人	ソニー株式会社
公开日期	1998-05-29
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	【課題】 GaInN層などのInを含む窒化物系III-V族化合物半導体層上にその成長温度よりも高い成長温度でInを含まない別の窒化物系III-V族化合物半導体層を成長させる必要がある場合に、そのInを含む窒化物系III-V族化合物半導体層の劣化を防止することができる半導体の成長方法を提供する。【解決手段】 GaN系半導体レーザの製造において、GaInN活性層26上にその成長温度よりも高い成長温度で成長させる必要があるp型AlGaNクラッド層29およびp型GaNコンタクト層30の成長温度を、GaInN活性層26の成長温度以上980℃以下、例えば930〜960℃とする。好ましくは、p型AlGaNクラッド層29の成長前に、GaInN活性層26の成長温度とほぼ等しいかまたはより低い成長温度で成長させたp型AlGaNキャップ層28により下地表面を覆っておく。
其他摘要	要解决的问题：提供一种生长半导体器件的方法，当需要生长第二氮化物族-II-V化合物时，该方法会使包含In作为GaInN层的第一氮化物族III-V族化合物半导体层劣化在第一化合物半导体层上不含In的半导体层，其生长温度高于第一化合物半导体层的生长温度。解决方案：在制造GaN半导体激光器的方法中，p型AlGaN包层29和p型GaN接触层30的生长温度，其设置在GaInN有源层26上方并且必须在生长温度下生长高于有源层的温度，设定为高于有源层26的生长温度并低于980℃，例如在930到960摄氏度之间优选地，在包覆层29生长之前，预先用p型AlGaN覆盖层28覆盖下面的层，该覆盖层28在等于或低于有源层26的生长温度的生长温度下生长。
申请日期	1996-11-13
专利号	JP1998144612A
专利状态	失效
申请号	JP1996302069
公开（公告）号	JP1998144612A
IPC 分类号	H01S5/323 \| H01S5/343 \| H01L21/203 \| H01L21/205 \| H01S5/00 \| H01S5/30 \| H01S3/18
专利代理人	杉浦正知
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88703
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	ソニー株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	河合弘治,池田昌夫,中村文彦,等. 半導体の成長方法. JP1998144612A[P]. 1998-05-29.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1998144612A.PDF（57KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文