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半导体发光器件 专利
专利类型: 实用新型, 实用新型, 专利号: CN202405309U, CN202405309U, 申请日期: 2012-08-29, 2012-08-29, 公开日期: 2012-08-29, 2012-08-29
发明人:  藤金正树;  井上彰;  横川俊哉
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氮化物半导体发光元件 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN100411265C, 申请日期: 2008-08-13, 公开日期: 2008-08-13
发明人:  长谷川义晃;  横川俊哉;  石桥明彦
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氮化物半导体装置及其制造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN101124704A, 申请日期: 2008-02-13, 公开日期: 2008-02-13
发明人:  长谷川義晃;  菅原岳;  安杖尚美;  石桥明彦;  横川俊哉
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氮化物半导体元件及其制造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN100349341C, 申请日期: 2007-11-14, 公开日期: 2007-11-14
发明人:  菅原岳;  川口靖利;  石桥明彦;  木户口勋;  横川俊哉
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半導体発光素子及びその製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3708213B2, 申请日期: 2005-08-12, 公开日期: 2005-10-19
发明人:  横川 俊哉;  熊渕 康仁
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半导体激光器和其制造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN1639934A, 申请日期: 2005-07-13, 公开日期: 2005-07-13
发明人:  长谷川义晃;  横川俊哉
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氮化物半导体激光元件及其制造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN1618154A, 申请日期: 2005-05-18, 公开日期: 2005-05-18
发明人:  菅原岳;  长谷川义晃;  石桥明彦;  横川俊哉
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半導体構造体および半導体装置の製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3475637B2, 申请日期: 2003-09-26, 公开日期: 2003-12-08
发明人:  横川 俊哉;  吉井 重雄
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発光素子及びその製造方法および光ディスク装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1999026877A, 申请日期: 1999-01-29, 公开日期: 1999-01-29
发明人:  横川 俊哉;  齋藤 徹
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半導体発光素子およびその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1998303514A, 申请日期: 1998-11-13, 公开日期: 1998-11-13
发明人:  佐々井 洋一;  上山 智;  齋藤 徹;  辻村 歩;  西川 孝司;  横川 俊哉
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