半導体発光素子およびその製造方法

OPT OpenIR > 半导体激光器专利数据库

	半導体発光素子およびその製造方法
其他题名	半導体発光素子およびその製造方法
	佐々井洋一; 上山智; 齋藤徹; 辻村歩; 西川孝司; 横川俊哉
	1998-11-13
专利权人	MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD
公开日期	1998-11-13
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	【課題】低電圧駆動のZnSe系半導体レーザを提供する。【解決手段】半導体レーザは、n型GaAs基板1上にZnSSeバッファ層3、n型ZnMgSSeクラッド層4、ZnCdSe活性層6、p型ZnMgSSeクラッド層8、p型ZnSSe層9、p型ZnSSe層10、p型ZnTe層12を具備している。p型ZnSSe層10とp型ZnTe層12との間に中間層11を形成する。その中間層11は相隣り合う半導体層に対して、価電子帯のバンドオフセットが0.3eV以下の半導体で、例えば組成の異なる多層のp型ZnSeTe系半導体層からなる構成としている。これにより、価電子帯でのバンドオフセットが小さくなり、半導体レーザの低電圧駆動が達成できる。
其他摘要	要解决的问题：通过多个半导体层的方法降低具有良好再现性的半导体发光元件的工作电压，其中多个半导体层的价电子带具有由于相邻半导体层之间的特定差异而彼此不同的手偏移在p型ZnSSe半导体层和p型ZnTe层之间提供。解决方案：使n型GaAs缓冲层2，n型ZnSe缓冲层3，n型包覆层4，n型光导层5，活性层和ZnSSe光电导体层7生长在基板1上形成发光区域。然后，p型氮掺杂ZnMgSSe包层8，p型氮掺杂ZnSSe层9，p型氮掺杂ZnSe层10，p型接触中间层11和p型氮形成掺杂的ZnTe接触层12。 p型接触中间层11由p型氮掺杂ZnSeTe层20,21,22和23组成，它们具有不同的Se / Te比并且依次形成在p型氮掺杂的ZnSe层10上和相邻20-21,21-22和22-23的价电子带之间的能量差异低于0.3eV。
申请日期	1997-08-05
专利号	JP1998303514A
专利状态	失效
申请号	JP1997210258
公开（公告）号	JP1998303514A
IPC 分类号	H01L33/12 \| H01S3/00 \| H01L33/06 \| H01L27/15 \| H01L33/30 \| H01L33/14 \| G11B7/125 \| H01S5/00 \| H01L33/28 \| G01N21/01 \| H01S3/18 \| H01L33/00
专利代理人	滝本智之 (外1名)
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84736
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD
推荐引用方式 GB/T 7714	佐々井洋一,上山智,齋藤徹,等. 半導体発光素子およびその製造方法. JP1998303514A[P]. 1998-11-13.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1998303514A.PDF（128KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文