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一种发光效率增强的半导体激光器 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN106410605B, 申请日期: 2019-09-27, 公开日期: 2019-09-27
发明人:  魏志鹏;  方铉;  牛守柱;  唐吉龙;  王登魁;  房丹;  王海珠;  李金华;  楚学影;  马晓辉;  王晓华
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一种增强发光效率稳定输出波长的半导体激光器 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN107370020A, 申请日期: 2017-11-21, 公开日期: 2017-11-21
发明人:  方铉;  魏志鹏;  唐吉龙;  房丹;  贾慧民;  王登魁;  王菲;  李金华;  楚学影;  王晓华
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一种垂直腔面发射半导体激光器电极 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN107069423A, 申请日期: 2017-08-18, 公开日期: 2017-08-18
发明人:  魏志鹏;  唐吉龙;  方铉;  王新伟;  楚学影;  王登魁;  王菲;  冯源;  张晶;  王晓华
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一种半导体激光器热沉 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN106684700A, 申请日期: 2017-05-17, 公开日期: 2017-05-17
发明人:  唐吉龙;  魏志鹏;  方铉;  房丹;  王登魁;  王菲;  冯源;  李金华;  楚学影;  王晓华
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ALD制备InP基半导体激光器中的表面钝化方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN104143760A, 申请日期: 2014-11-12, 公开日期: 2014-11-12
发明人:  魏志鹏;  田珊珊;  方铉;  唐吉龙;  李金华;  方芳;  楚学影;  王晓华;  王菲
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