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発光装置及び照明装置 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP5571889B2, 申请日期: 2014-07-04, 公开日期: 2014-08-13
发明人:  佐藤 高洋;  斎藤 真司;  布上 真也;  服部 靖;  菅井 麻希
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発光装置 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP5039164B2, 申请日期: 2012-07-13, 公开日期: 2012-10-03
发明人:  服部 靖;  斎藤 真司;  布上 真也;  遠山 政樹
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窒化ガリウム系化合物半導体レーザ 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3946337B2, 申请日期: 2007-04-20, 公开日期: 2007-07-18
发明人:  小野村 正明;  波多腰 玄一;  布上 真也;  石川 正行
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窒化ガリウム系半導体装置 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3592553B2, 申请日期: 2004-09-03, 公开日期: 2004-11-24
发明人:  布上 真也;  山本 雅裕
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窒化物系半導体レーザ装置およびその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2000223779A, 申请日期: 2000-08-11, 公开日期: 2000-08-11
发明人:  板谷 和彦;  布上 真也;  波多腰 玄一
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半導体発光素子及びその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1999274642A, 申请日期: 1999-10-08, 公开日期: 1999-10-08
发明人:  小野村 正明;  山本 雅裕;  布上 真也
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化合物半導体レーザ装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1999186650A, 申请日期: 1999-07-09, 公开日期: 1999-07-09
发明人:  板谷 和彦;  布上 真也;  石川 正行
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窒化物化合物半導体発光素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1998294531A, 申请日期: 1998-11-04, 公开日期: 1998-11-04
发明人:  藤 本 英 俊;  ジョン レニー;  山 本 雅 裕;  石 川 正 行;  布 上 真 也;  杉 浦 理 砂
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半導体レーザ及びその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1998294529A, 申请日期: 1998-11-04, 公开日期: 1998-11-04
发明人:  波多腰 玄一;  小野村 正明;  ジョン·レニー;  鈴木 真理子;  布上 真也;  石川 正行
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窒化ガリウム系化合物半導体レーザ及びその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1998093192A, 申请日期: 1998-04-10, 公开日期: 1998-04-10
发明人:  石川 正行;  山本 雅裕;  布上 真也;  西尾 譲司;  波多腰 玄一;  藤本 英俊
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