窒化物化合物半導体発光素子

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	窒化物化合物半導体発光素子
其他题名	窒化物化合物半導体発光素子
	藤本英俊; ジョンレニー; 山本雅裕; 石川正行; 布上真也; 杉浦理砂
	1998-11-04
专利权人	株式会社東芝
公开日期	1998-11-04
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	(修正有) 【課題】接触抵抗が低くさらに良好なワイアボンディングができる電極を有する窒化物化合物半導体発光素子を提供する。【解決手段】電流阻止層111を、所定の金属の酸化物、炭素.p型およびn型の導電性を示す不純物を含むn型のB(1-x-y-z)InXAlyGazN単結晶層(0≦x,y,z≦1)、水素または酸素によってキャリアが不活性化されてなるi型B(1-x-y-z)InXAlyGazN単結晶層(0≦x,y,z≦1)のいずれかの材料にしたため、ドライエッチンクプロセスを不要とした内部電流狭窄構造を実現する。または、逆バイアス電圧を印加することにより、電流経路に沿って半導体層を活性化することができ、それ以下の領域を電流ブロック層として作用させることができる。
其他摘要	（经修改）提供一种具有电极的氮化物化合物半导体发光元件，该电极具有低接触电阻并且可以实现更好的引线键合。解决方案：电流阻挡层111由n型B （1-xyz） In 制成，其中含有显示预定金属氧化物，碳，P型和n型导电性的杂质， Ga z N单晶层（0.x≤x，y，z≤1），载体被氢或氧钝化Ga z N单晶层（1 - xyz） In X Al y 0≤x，y，z≤1），从而实现内部电流限制结构，其消除了对干蚀刻工艺的需要。或者，通过施加反向偏压，可以沿着电流路径激活半导体层，并且其下方的区域可以用作电流阻挡层。
主权项	-
申请日期	1998-02-18
专利号	JP1998294531A
专利状态	失效
申请号	JP1998036263
公开（公告）号	JP1998294531A
IPC 分类号	H01L33/34 \| H01S5/343 \| H01L33/12 \| H01S5/223 \| H01L33/06 \| H01S5/22 \| H01S5/323 \| H01L33/14 \| H01L33/32 \| H01S5/00 \| H01S3/18 \| H01L33/00
专利代理人	佐藤一雄 (外3名)
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/51159
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	株式会社東芝
推荐引用方式 GB/T 7714	藤本英俊,ジョンレニー,山本雅裕,等. 窒化物化合物半導体発光素子. JP1998294531A[P]. 1998-11-04.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1998294531A.PDF（94KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文