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半導体レーザ 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3285079B2, 申请日期: 2002-03-08, 公开日期: 2002-05-27
发明人:  屋敷 健一郎;  山崎 裕幸;  岩田 普
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半導体発光素子およびその製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3241326B2, 申请日期: 2001-10-19, 公开日期: 2001-12-25
发明人:  屋敷 健一郎;  岩田 普
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II-VI族化合物半導体ヘテロ接合素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1999112031A, 申请日期: 1999-04-23, 公开日期: 1999-04-23
发明人:  岩田 普;  難波江 宏一
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半導体量子井戸レーザ 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP2890505B2, 申请日期: 1999-02-26, 公开日期: 1999-05-17
发明人:  岩田 普
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半導体発光素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1999008440A, 申请日期: 1999-01-12, 公开日期: 1999-01-12
发明人:  岩田 普
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II-VI族半導体デバイス及びその製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP2757915B2, 申请日期: 1998-03-13, 公开日期: 1998-05-25
发明人:  倉本 大;  岩田 普
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半導体レーザ及びその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1997092926A, 申请日期: 1997-04-04, 公开日期: 1997-04-04
发明人:  北村 光弘;  岩田 普
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半導体発光素子 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP2586349B2, 申请日期: 1996-12-05, 公开日期: 1997-02-26
发明人:  黒田 尚孝;  岩田 普
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面形光半導体装置 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP1996008393B2, 申请日期: 1996-01-29, 公开日期: 1996-01-29
发明人:  岩田 普
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半導体レーザ埋め込み構造 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1995202312A, 申请日期: 1995-08-04, 公开日期: 1995-08-04
发明人:  岩田 普
Adobe PDF(24Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：51/0  |  提交时间：2019/12/31