Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| II-VI族化合物半導体ヘテロ接合素子 | |
| 其他题名 | II-VI族化合物半導体ヘテロ接合素子 |
| 岩田 普; 難波江 宏一 | |
| 1999-04-23 | |
| 专利权人 | 日本電気株式会社 |
| 公开日期 | 1999-04-23 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【課題】 光の閉じ込めとキャリアの閉じ込めを効果的に行った、温度特性や電気特性に優れ、製作の容易なII-VI族化合物半導体ヘテロ接合素子を提供する。 【解決手段】 p型クラッド層13は、InPに格子整合するMgZnSeTe系化合物半導体からなり、n型クラッド層12は、MgZnSeTe系化合物半導体とMgZnCdSe系化合物半導体とMgCdSSe系化合物半導体とからなる群より選ばれ、かつ、InPに格子整合する化合物半導体からなる。 |
| 其他摘要 | 要解决的问题：提供易于制造的II-VI化合物半导体异质结元件，其具有优异的温度特性和电特性，以有效地限制光并限制载流子。解决方案：在InP衬底11上设置有有源层，（p）型覆层13和（n）型覆层12的半导体元件中，（p）型覆层13由MgZnTe族化合物构成与InP对齐的半导体，（n）型包层12由选自MgZnSeTe化合物半导体，MgZnCdSe化合物半导体和MgCdSSe化合物半导体的化合物半导体构成，并与InP栅格对齐。 |
| 主权项 | - |
| 申请日期 | 1998-07-28 |
| 专利号 | JP1999112031A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1998212456 |
| 公开（公告）号 | JP1999112031A |
| IPC 分类号 | C04B35/46 | H01L | H01S | H01L33/12 | E04G23/02 | H01L33/30 | H01S5/00 | H01L33/04 | H01L33/28 | H01L33/00 | H01S3/18 |
| 专利代理人 | 山川 政樹 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67584 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 岩田 普,難波江 宏一. II-VI族化合物半導体ヘテロ接合素子. JP1999112031A[P]. 1999-04-23. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1999112031A.PDF（241KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
| 个性服务 |
| 推荐该条目 |
| 保存到收藏夹 |
| 查看访问统计 |
| 导出为Endnote文件 |
| 谷歌学术 |
| 谷歌学术中相似的文章 |
| [岩田 普]的文章 |
| [難波江 宏一]的文章 |
| 百度学术 |
| 百度学术中相似的文章 |
| [岩田 普]的文章 |
| [難波江 宏一]的文章 |
| 必应学术 |
| 必应学术中相似的文章 |
| [岩田 普]的文章 |
| [難波江 宏一]的文章 |
| 相关权益政策 |
| 暂无数据 |
| 收藏/分享 |
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论