中文版 | English

在结果中检索

OPT OpenIR

浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助

已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
半導体レーザ素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2004179209A, 申请日期: 2004-06-24, 公开日期: 2004-06-24
发明人:  日野 智公;  成井 啓修;  御友 重吾;  岡野 展賢
Adobe PDF(146Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：82/0  |  提交时间：2020/01/13
窒化物系III-V族化合物半導体の成長方法および半導体発光素子の製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3543628B2, 申请日期: 2004-04-16, 公开日期: 2004-07-14
发明人:  冨岡 聡;  成井 啓修;  岡野 展賢
Adobe PDF(129Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：117/0  |  提交时间：2019/12/26
半導体発光装置の製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2001244573A, 申请日期: 2001-09-07, 公开日期: 2001-09-07
发明人:  御友 重吾;  岡野 展賢;  成井 啓修
Adobe PDF(137Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：70/0  |  提交时间：2020/01/13
化合物半導体素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2000133882A, 申请日期: 2000-05-12, 公开日期: 2000-05-12
发明人:  成井 啓修;  岡野 展賢
Adobe PDF(35Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：54/0  |  提交时间：2020/01/13
半導体発光素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2000114665A, 申请日期: 2000-04-21, 公开日期: 2000-04-21
发明人:  成井 啓修;  岡野 展賢
Adobe PDF(181Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：256/0  |  提交时间：2020/01/18
半導体発光素子およびその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1999354888A, 申请日期: 1999-12-24, 公开日期: 1999-12-24
发明人:  成井 啓修;  谷口 健博;  植野 紀子;  岡野 展賢
Adobe PDF(277Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：81/0  |  提交时间：2020/01/13
化合物半導体層の成長方法および半導体装置の製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1999330616A, 申请日期: 1999-11-30, 公开日期: 1999-11-30
发明人:  岡野 展賢;  成井 啓修;  田口 歩;  植野 紀子
Adobe PDF(56Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：72/0  |  提交时间：2019/12/31
半導体装置、半導体レーザ等の製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1999330611A, 申请日期: 1999-11-30, 公开日期: 1999-11-30
发明人:  植野 紀子;  田口 歩;  成井 啓修;  岡野 展賢
Adobe PDF(38Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：61/0  |  提交时间：2019/12/31