Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体発光素子 | |
| 其他题名 | 半導体発光素子 |
| 成井 啓修; 岡野 展賢 | |
| 2000-04-21 | |
| 专利权人 | ソニー株式会社 |
| 公开日期 | 2000-04-21 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【課題】 基板にGaAs基板を用いて容易に製造することができ、しかも、良好な特性を実現することができる長波長帯で発光可能な半導体発光素子を提供する。
【解決手段】 基板にn型GaAs基板1を用いたSCH構造の半導体レーザにおいて、活性層に(Bx Ga1-x )y In1-y As活性層4(ただし、0x Ga1-x )y In1-y As活性層4におけるx,yは、(Bx Ga1-x )y In1-y As活性層4がn型GaAs基板1と格子整合するように選ぶ。クラッド層にはn型AlGaAsクラッド層2およびp型AlGaAsクラッド層6を用い、光導波層にはn型(Bu Ga1-u )v In1-v As光導波層3およびp型(Bu Ga1-u )v In1-v As光導波層5(ただし、0 |
| 其他摘要 | 要解决的问题：提供一种半导体发光元件，其易于使用具有良好特性的GaAs衬底进行组装，并且能够发射长波段的光。解决方案：在使用n型GaAs衬底1作为衬底的SCH结构的半导体激光器中，（BxGa1-x）yIn1-yAs有源层4，其中0 |
| 申请日期 | 1998-10-09 |
| 专利号 | JP2000114665A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1998288303 |
| 公开（公告）号 | JP2000114665A |
| IPC 分类号 | H01S5/323 | H01S5/00 |
| 专利代理人 | 杉浦 正知 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83353 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ソニー株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 成井 啓修,岡野 展賢. 半導体発光素子. JP2000114665A[P]. 2000-04-21. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP2000114665A.PDF（181KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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