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集成型半导体激光元件及其制造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN101826703A, 申请日期: 2010-09-08, 公开日期: 2010-09-08
发明人:  伊豆博昭;  山口勤;  大保广树;  广山良治;  畑雅幸;  太田洁
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氮化物系半导体元件的制造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN1913104B, 申请日期: 2010-05-12, 公开日期: 2010-05-12
发明人:  户田忠夫;  山口勤;  畑雅幸;  野村康彦
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半导体激光装置 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN100461564C, 申请日期: 2009-02-11, 公开日期: 2009-02-11
发明人:  别所靖之;  畑雅幸;  井上大二朗;  山口勤
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半导体激光器装置和它的制造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN100459333C, 申请日期: 2009-02-04, 公开日期: 2009-02-04
发明人:  别所靖之;  畑雅幸;  井上大二朗;  山口勤
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半导体激光器装置和它的制造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN100459333C, 申请日期: 2009-02-04, 公开日期: 2009-02-04
发明人:  别所靖之;  畑雅幸;  井上大二朗;  山口勤
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半导体激光元件及其制造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN1841864A, 申请日期: 2006-10-04, 公开日期: 2006-10-04
发明人:  山口勤;  畑雅幸;  狩野隆司;  庄野昌幸;  大保广树;  野村康彦;  伊豆博昭
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集成型半导体激光元件及其制造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN1753261A, 申请日期: 2006-03-29, 公开日期: 2006-03-29
发明人:  伊豆博昭;  山口勤;  大保广树;  广山良治;  畑雅幸;  太田洁
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集成型半导体激光元件及其制造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN1677779A, 申请日期: 2005-10-05, 公开日期: 2005-10-05
发明人:  野村康彦;  别所靖之;  畑雅幸;  山口勤
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