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窒化ガリウム系化合物半導体レーザ 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3946337B2, 申请日期: 2007-04-20, 公开日期: 2007-07-18
发明人:  小野村 正明;  波多腰 玄一;  布上 真也;  石川 正行
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半導体素子及び半導体素子の製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3905935B2, 申请日期: 2007-01-19, 公开日期: 2007-04-18
发明人:  板谷 和彦;  山本 雅裕;  小野村 正明;  藤本 英俊;  波多腰 玄一;  菅原 秀人;  石川 正行;  ジョン·レニー;  斎藤 真司
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窒化物系半導体レーザ装置の製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3659621B2, 申请日期: 2005-03-25, 公开日期: 2005-06-15
发明人:  小野村 正明
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窒化ガリウム系化合物半導体レーザ及びその製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3655066B2, 申请日期: 2005-03-11, 公开日期: 2005-06-02
发明人:  小野村 正明;  波多腰 玄一;  板谷 和彦;  吉田 博昭;  鈴木 真理子
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半導体レーザ 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3464853B2, 申请日期: 2003-08-22, 公开日期: 2003-11-10
发明人:  小野村 正明;  西川 幸江;  波多腰 玄一
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半導体レーザ装置 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3381976B2, 申请日期: 2002-12-20, 公开日期: 2003-03-04
发明人:  櫛部 光弘;  高岡 圭児;  船水 将久;  小野村 正明
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半導体レーザ装置 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3251615B2, 申请日期: 2001-11-16, 公开日期: 2002-01-28
发明人:  平山 雄三;  小野村 正明;  森永 素安;  鈴木 信夫;  定政 哲雄;  櫛部 光弘
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半導体レーザ装置及びその製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3192687B2, 申请日期: 2001-05-25, 公开日期: 2001-07-30
发明人:  小野村 正明;  平山 雄三;  定政 哲雄
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半導体レ—ザ装置、光ヘッド装置および半導体レ—ザ装置の製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2000215502A, 申请日期: 2000-08-04, 公开日期: 2000-08-04
发明人:  小野村 正明
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半導体発光素子及びその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1999274642A, 申请日期: 1999-10-08, 公开日期: 1999-10-08
发明人:  小野村 正明;  山本 雅裕;  布上 真也
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