Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体レーザ装置 | |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置 |
| 平山 雄三; 小野村 正明; 森永 素安; 鈴木 信夫; 定政 哲雄; 櫛部 光弘 | |
| 2001-11-16 | |
| 专利权人 | 株式会社東芝 |
| 公开日期 | 2002-01-28 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | 【目的】 波長可変幅が広く、かつ波長可変時にスペクトル線幅の広がらない波長可変型の半導体レーザ装置を提供することにある。 【構成】 波長可変型のDFB半導体レーザ装置において、共振器方向に沿って活性領域の量子井戸構造(例えば井戸数)を変えて、同一共振器内にキャリア密度-利得特性の異なる複数の活性領域21,22a,22bを設け、これらの活性領域21,22a,22bに対応して複数の電極181 ,182 ,183 を設けたことを特徴とする。 |
| 其他摘要 | 目的：提供一种可变波长类型的半导体激光器件，其波长的可变范围宽，并且当改变其波长时其光谱线的宽度不增加。组成：一种可变波长类型的DFB半导体激光器件，其中有源区中量子阱的结构沿谐振器方向（例如阱的数量）和多个有源区21,22a，22b变化，其载流子密度增益特性彼此不同，设置在单个谐振器中，并且还设置多个电极181,182,183，分别与有源区21,22a，22b相对。 |
| 申请日期 | 1991-09-30 |
| 专利号 | JP3251615B2 |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1991278766 |
| 公开（公告）号 | JP3251615B2 |
| IPC 分类号 | H01S | G02F | G02F1/35 | H01S5/12 | H01S5/00 |
| 专利代理人 | 鈴江 武彦 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/78622 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社東芝 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 平山 雄三,小野村 正明,森永 素安,等. 半導体レーザ装置. JP3251615B2[P]. 2001-11-16. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP3251615B2.PDF（133KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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