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3族窒化物半導体レーザ素子 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3717255B2, 申请日期: 2005-09-09, 公开日期: 2005-11-16
发明人:  永井 誠二;  山崎 史郎;  小池 正好;  冨田 一義;  加地 徹
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Ⅲ族氮化物系化合物半导体的制造方法及Ⅲ族氮化物系化合物半导体元件 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN1633700A, 申请日期: 2005-06-29, 公开日期: 2005-06-29
发明人:  小池正好;  手钱雄太;  平松敏夫;  永井诚二
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制备III族氮化物半导体的方法及III族氮化物半导体器件 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN1413358A, 申请日期: 2003-04-23, 公开日期: 2003-04-23
发明人:  小池正好;  小岛彰;  平松敏夫;  手钱雄太
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制备Ⅲ族氮化物半导体的方法及Ⅲ族氮化物半导体器件 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN1413357A, 申请日期: 2003-04-23, 公开日期: 2003-04-23
发明人:  小池正好;  手钱雄太;  平松敏夫
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窒化ガリウム系化合物半導体レーザダイオード 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1999266058A, 申请日期: 1999-09-28, 公开日期: 1999-09-28
发明人:  山崎 史郎;  小池 正好
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窒化ガリウム系化合物半導体レーザ 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1999177185A, 申请日期: 1999-07-02, 公开日期: 1999-07-02
发明人:  小池 正好;  手銭 雄太;  永井 誠二;  湧口 光雄
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3族窒化物半導体レーザダイオードの製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1999145566A, 申请日期: 1999-05-28, 公开日期: 1999-05-28
发明人:  小池 正好;  山崎 史郎;  手銭 雄太
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窒化ガリウム系化合物半導体及びその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1999135832A, 申请日期: 1999-05-21, 公开日期: 1999-05-21
发明人:  小出 典克;  小池 正好;  加藤 久喜
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3族窒化物半導体発光素子及びその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1999126949A, 申请日期: 1999-05-11, 公开日期: 1999-05-11
发明人:  小池 正好;  永井 誠二
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3族窒化物半導体素子及びその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1999026812A, 申请日期: 1999-01-29, 公开日期: 1999-01-29
发明人:  小池 正好
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