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半導体発光素子の製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP4040192B2, 申请日期: 2007-11-16, 公开日期: 2008-01-30
发明人:  山口 恭司;  小林 俊雅;  喜嶋 悟;  小林 高志;  朝妻 庸紀;  浅野 竹春;  日野 智公
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氮化物半导体器件及其制造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN1237578C, 申请日期: 2006-01-18, 公开日期: 2006-01-18
发明人:  小林俊雅;  簗克典;  山口恭司;  中岛博
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氮基半导体激光器件和其生产方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN1457539A, 申请日期: 2003-11-19, 公开日期: 2003-11-19
发明人:  山口恭司;  小林高志;  小林俊雅;  喜岛悟;  富冈聪;  安斋信一;  东条刚
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半導体素子の封止構造 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3277736B2, 申请日期: 2002-02-15, 公开日期: 2002-04-22
发明人:  根本 和彦;  松田 修;  小林 俊雅;  土居 正人
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半導体レーザ及びその製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3277711B2, 申请日期: 2002-02-15, 公开日期: 2002-04-22
发明人:  丸谷 幸利;  小林 俊雅;  近藤 憲治;  根本 和彦;  樋口 慶信
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半导体器件及其制造方法和用于制造半导体器件的衬底 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN1231533A, 申请日期: 1999-10-13, 公开日期: 1999-10-13
发明人:  小林俊雅;  东条刚
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半導体素子および半導体発光素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1999126947A, 申请日期: 1999-05-11, 公开日期: 1999-05-11
发明人:  小林 俊雅;  宮嶋 孝夫;  小沢 正文
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半導体レーザの製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1998144989A, 申请日期: 1998-05-29, 公开日期: 1998-05-29
发明人:  小林 俊雅
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半導体発光素子のパッケージ及びその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1996186326A, 申请日期: 1996-07-16, 公开日期: 1996-07-16
发明人:  根本 和彦;  松田 修;  小林 俊雅;  土居 正人
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マルチビームレーザとこれを用いたレーザビームプリンタ 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1995211989A, 申请日期: 1995-08-11, 公开日期: 1995-08-11
发明人:  小林 俊雅;  松田 修
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