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半導体レーザ素子及びその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2000138419A, 申请日期: 2000-05-16, 公开日期: 2000-05-16
发明人:  中塚 慎一;  野本 悦子;  上島 研一;  宮内 恵一;  加藤 佳秋
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半導体レーザ素子およびその製造方法ならびに半導体レーザ装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2000077777A, 申请日期: 2000-03-14, 公开日期: 2000-03-14
发明人:  上島 研一;  宮内 恵一
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半導体レーザ素子およびその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1997167872A, 申请日期: 1997-06-24, 公开日期: 1997-06-24
发明人:  斉藤 和徳;  宮内 恵一
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光電子装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1996116136A, 申请日期: 1996-05-07, 公开日期: 1996-05-07
发明人:  高橋 健夫;  中村 康弘;  宮内 恵一
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