半導体レーザ素子およびその製造方法ならびに半導体レーザ装置

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	半導体レーザ素子およびその製造方法ならびに半導体レーザ装置
其他题名	半導体レーザ素子およびその製造方法ならびに半導体レーザ装置
	上島研一; 宮内恵一
	2000-03-14
专利权人	株式会社日立製作所
公开日期	2000-03-14
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	【課題】しきい値および動作電流の低減。【解決手段】第1導電型の半導体基板と、前記半導体基板の一面に形成される第1導電型の下クラッド層と、前記クラッド層上に形成される活性層と、前記活性層上に形成され一部にストライプ状のリッジを有する上クラッド層と、前記上クラッド層上に形成されかつ前記リッジを挟むように配置形成される一対の第2導電型のブロック層と、前記リッジおよび前記ブロック層を被う第2導電型のキャップ層と、前記キャップ層上に形成される第1の電極と、前記半導体基板の裏面に形成される第2の電極とからなる半導体レーザを有するリッジ型半導体レーザ素子であって、前記リッジから外れる活性層部分は不純物の拡散による無秩序化層になっている。活性層は多重量子井戸構造である。
其他摘要	要解决的问题：降低阈值和工作电流。第一导电类型的半导体衬底，在半导体衬底的一个表面上形成的第一导电类型的下包层，在包层上形成的有源层，以及在有源层上形成的有源层一种上包层，具有条形脊，一对第二导电类型的阻挡层形成在上包层上并设置成夹住脊，脊和块一种脊型半导体，包括半导体激光器，该半导体激光器包括覆盖该层的第二导电类型的盖层，形成在该盖层上的第一电极，以及形成在该半导体基板的后表面上的第二电极在激光器件中，脊外的有源层部分是杂质扩散的无序层。有源层是多量子阱结构。
申请日期	1998-08-28
专利号	JP2000077777A
专利状态	失效
申请号	JP1998242882
公开（公告）号	JP2000077777A
IPC 分类号	H01S5/30 \| H01S5/00
专利代理人	秋田収喜
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83135
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	株式会社日立製作所
推荐引用方式 GB/T 7714	上島研一,宮内恵一. 半導体レーザ素子およびその製造方法ならびに半導体レーザ装置. JP2000077777A[P]. 2000-03-14.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP2000077777A.PDF（235KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文