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半導体レーザ素子 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP2806533B2, 申请日期: 1998-07-24, 公开日期: 1998-09-30
发明人:  坂根 千登勢;  瀧口 治久;  工藤 裕章;  菅原 聰
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半導体レーザの製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP2554192B2, 申请日期: 1996-08-22, 公开日期: 1996-11-13
发明人:  瀧口 治久;  中津 弘志;  猪口 和彦;  厚主 文弘;  坂根 千登勢;  奥村 敏之;  菅原 聰
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半導体レーザ素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1996213697A, 申请日期: 1996-08-20, 公开日期: 1996-08-20
发明人:  坂根 千登勢;  瀧口 治久;  工藤 裕章;  菅原 聰
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半導体レーザ素子及びその製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP2547459B2, 申请日期: 1996-08-08, 公开日期: 1996-10-23
发明人:  滝口 治久;  猪口 和彦;  厚主 文弘;  奥村 敏之;  坂根 千登勢;  菅原 聰;  中津 弘志
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