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一种使用湿法刻蚀法制备GaAs微透镜的方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN103454703A, 申请日期: 2013-12-18, 公开日期: 2013-12-18
发明人:  刘国军;  单少杰;  郝永芹;  魏志鹏;  冯源;  李特;  安宁;  周路;  罗扩郎;  陈芳;  何斌太;  刘鹏程
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一种硫钝化与快速热退火二步法处理n-GaSb衬底的方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN102660775A, 申请日期: 2012-09-12, 公开日期: 2012-09-12
发明人:  陈芳;  李占国;  刘国军;  魏志鹏;  马晓辉;  徐莉;  周璐;  张晶;  李梅;  安宁;  王博;  张升云;  田珊珊;  高娴;  刘超;  单少杰;  孙鹏;  刘晓轩
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