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制造半导体器件的方法及半导体器件 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN104466677A, 申请日期: 2015-03-25, 公开日期: 2015-03-25
发明人:  阿江敬;  北村昌太郎;  奥田哲朗;  加藤豪;  渡边功
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分布反馈型半导体激光器 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN101083385A, 申请日期: 2007-12-05, 公开日期: 2007-12-05
发明人:  北村昌太郎;  阪田康隆
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半導体光変調器の作製方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2000147443A, 申请日期: 2000-05-26, 公开日期: 2000-05-26
发明人:  北村 昌太郎
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光半導体素子の製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1999354894A, 申请日期: 1999-12-24, 公开日期: 1999-12-24
发明人:  北村 昌太郎
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光半導体素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1999191656A, 申请日期: 1999-07-13, 公开日期: 1999-07-13
发明人:  北村 昌太郎
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半導体光増幅素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1999046044A, 申请日期: 1999-02-16, 公开日期: 1999-02-16
发明人:  北村 昌太郎
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光半導体素子及びその製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP2757909B2, 申请日期: 1998-03-13, 公开日期: 1998-05-25
发明人:  北村 昌太郎
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光半導体素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1996181376A, 申请日期: 1996-07-12, 公开日期: 1996-07-12
发明人:  北村 昌太郎
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光半導体素子の製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP1995118569B2, 申请日期: 1995-12-18, 公开日期: 1995-12-18
发明人:  北村 昌太郎
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光変調器とその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1995230067A, 申请日期: 1995-08-29, 公开日期: 1995-08-29
发明人:  厚井 大明;  北村 昌太郎
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