制造半导体器件的方法及半导体器件

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	制造半导体器件的方法及半导体器件
其他题名	制造半导体器件的方法及半导体器件
	阿江敬; 北村昌太郎; 奥田哲朗; 加藤豪; 渡边功
	2015-03-25
专利权人	瑞萨电子株式会社
公开日期	2015-03-25
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明的各个实施例涉及半导体器件的方法及半导体器件。为了改进半导体器件(半导体激光器)的特性，由InP构成的有源层波导(AWG)形成为，在从(100)平面在[1-1-1]方向上偏离了0.5°至0°范围内的角度的衬底的表面的暴露部分之上，在[0-1-1]方向上延伸。以2000或更高的Ⅴ/Ⅴ比，在AWG之上形成由p型InP构成的覆盖层。因此，可以通过减少AWG的膜厚度变化来获得优异的多量子阱(MQW)。此外，可以形成具有这样的侧面的覆盖层，在该侧面处主要出现与衬底表面几乎垂直的(0-11)平面。覆盖层与AWG的叠层部分的截面形状变为接近矩形的形状。因此，可以扩大电气化区域，从而可以降低半导体器件的电阻。
其他摘要	本发明的各个实施例涉及半导体器件的方法及半导体器件。为了改进半导体器件(半导体激光器)的特性，由InP构成的有源层波导(AWG)形成为，在从(100)平面在[1-1-1]方向上偏离了0.5°至0°范围内的角度的衬底的表面的暴露部分之上，在[0-1-1]方向上延伸。以2000或更高的Ⅴ/Ⅴ比，在AWG之上形成由p型InP构成的覆盖层。因此，可以通过减少AWG的膜厚度变化来获得优异的多量子阱(MQW)。此外，可以形成具有这样的侧面的覆盖层，在该侧面处主要出现与衬底表面几乎垂直的(0-11)平面。覆盖层与AWG的叠层部分的截面形状变为接近矩形的形状。因此，可以扩大电气化区域，从而可以降低半导体器件的电阻。
申请日期	2014-09-19
专利号	CN104466677A
专利状态	授权
申请号	CN201410483638.5
公开（公告）号	CN104466677A
IPC 分类号	H01S5/227
专利代理人	王茂华
代理机构	北京市金杜律师事务所
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/91322
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	瑞萨电子株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	阿江敬,北村昌太郎,奥田哲朗,等. 制造半导体器件的方法及半导体器件. CN104466677A[P]. 2015-03-25.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN104466677A.PDF（2085KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文