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| 半导体激光二极管 专利 专利类型: 发明申请, 专利号: CN109390844A, 申请日期: 2019-02-26, 公开日期: 2019-02-26 发明人: 斯文·格哈德; 克里斯托夫·艾希勒; 克里斯蒂安·鲁姆博尔茨
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| 发光半导体芯片和用于制造发光半导体芯片的方法 专利 专利类型: 发明申请, 专利号: CN107425413A, 申请日期: 2017-12-01, 公开日期: 2017-12-01 发明人: 克里斯托夫·艾希勒; 安德烈·佐默斯; 贝恩哈德·施托耶茨; 安德烈亚斯·莱夫勒; 艾尔弗雷德·莱尔
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| 激光二极管芯片 专利 专利类型: 发明申请, 专利号: CN107394584A, 申请日期: 2017-11-24, 公开日期: 2017-11-24 发明人: 克里斯托夫·艾希勒; 特雷莎·武尔姆
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| 用于制造半导体芯片的方法和半导体芯片 专利 专利类型: 发明申请, 专利号: CN107394581A, 申请日期: 2017-11-24, 公开日期: 2017-11-24 发明人: 克里斯托夫·艾希勒; 安德烈·佐默斯; 哈拉尔德·柯尼希; 贝恩哈德·施托耶茨; 安德烈亚斯·莱夫勒; 艾尔弗雷德·莱尔
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| 半导体芯片和用于制造半导体芯片的方法 专利 专利类型: 发明申请, 专利号: CN107394583A, 申请日期: 2017-11-24, 公开日期: 2017-11-24 发明人: 艾尔弗雷德·莱尔; 安德烈亚斯·莱夫勒; 克里斯托夫·艾希勒; 贝恩哈德·施托耶茨; 安德烈·佐默斯
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