激光二极管芯片

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	激光二极管芯片
其他题名	激光二极管芯片
	克里斯托夫·艾希勒; 特雷莎·武尔姆
	2017-11-24
专利权人	欧司朗光电半导体有限公司
公开日期	2017-11-24
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	描述一种激光二极管芯片(10)，所述激光二极管芯片具有n型半导体区域(3)、p型半导体区域(5)和设置在n型半导体区域(3)和p型半导体区域(5)之间的有源层(4)，所述有源层构成为单量子阱结构。单量子阱结构具有量子阱层(43)，所述量子阱层设置在第一势垒层(41)和第二势垒层(42)之间，其中第一势垒层(41)朝向n型半导体区域(3)，并且第二势垒层(42)朝向p型半导体区域(5)。量子阱层(43)的电子带隙EQW小于第一势垒层(41)的电子带隙EB1并且小于第二势垒层(42)的电子带隙EB2，并且第一势垒层(41)的电子带隙EB1大于第二势垒层(42)的电子带隙EB2。
其他摘要	描述一种激光二极管芯片(10)，所述激光二极管芯片具有n型半导体区域(3)、p型半导体区域(5)和设置在n型半导体区域(3)和p型半导体区域(5)之间的有源层(4)，所述有源层构成为单量子阱结构。单量子阱结构具有量子阱层(43)，所述量子阱层设置在第一势垒层(41)和第二势垒层(42)之间，其中第一势垒层(41)朝向n型半导体区域(3)，并且第二势垒层(42)朝向p型半导体区域(5)。量子阱层(43)的电子带隙EQW小于第一势垒层(41)的电子带隙EB1并且小于第二势垒层(42)的电子带隙EB2，并且第一势垒层(41)的电子带隙EB1大于第二势垒层(42)的电子带隙EB2。
主权项	一种激光二极管芯片(10)，所述激光二极管芯片包括： -n型半导体区域(3)， -p型半导体区域(5)， -设置在所述n型半导体区域(3)和所述p型半导体区域(5)之间的有源层(4)，所述有源层构成为单量子阱结构，其中 -所述单量子阱结构具有量子阱层(43)，所述量子阱层设置在第一势垒层(41)和第二势垒层(42)之间，其中所述第一势垒层(41)朝向所述n型半导体区域(3)，并且所述第二势垒层(42)朝向所述p型半导体区域(5)， -所述量子阱层(43)的电子带隙EQW小于所述第一势垒层(41)的电子带隙EB1并且小于所述第二势垒层(42)的电子带隙EB2，并且 -所述第一势垒层(41)的电子带隙EB1大于所述第二势垒层(42)的电子带隙EB2。
申请日期	2017-05-17
专利号	CN107394584A
专利状态	申请中
申请号	CN201710348142.0
公开（公告）号	CN107394584A
IPC 分类号	H01S5/343
专利代理人	丁永凡 \| 李建航
代理机构	北京集佳知识产权代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/63847
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	欧司朗光电半导体有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	克里斯托夫·艾希勒,特雷莎·武尔姆. 激光二极管芯片. CN107394584A[P]. 2017-11-24.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN107394584A.PDF（631KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文