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| 半导体激光二极管 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN110140264A, 申请日期: 2019-08-16, 公开日期: 2019-08-16
发明人: 斯文·格哈德; 克里斯托夫·艾克勒; 艾尔弗雷德·莱尔; 贝恩哈德·施托耶茨
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| 用于制造半导体激光器的方法和半导体激光器 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN109891691A, 申请日期: 2019-06-14, 公开日期: 2019-06-14
发明人: 艾尔弗雷德·莱尔; 格奥尔格·布吕德尔; 约翰·布鲁克纳; 斯文·格哈德; 穆罕默德·阿利; 托马斯·阿德霍奇
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| 半导体激光器 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN108141010A, 申请日期: 2018-06-08, 公开日期: 2018-06-08
发明人: 斯文·格哈德; 艾尔弗雷德·莱尔; 克莱门斯·菲尔海利希; 安德烈亚斯·莱夫勒; 克里斯托夫·艾克勒
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| 发光半导体芯片和用于制造发光半导体芯片的方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN107425413A, 申请日期: 2017-12-01, 公开日期: 2017-12-01
发明人: 克里斯托夫·艾希勒; 安德烈·佐默斯; 贝恩哈德·施托耶茨; 安德烈亚斯·莱夫勒; 艾尔弗雷德·莱尔
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| 用于制造半导体芯片的方法和半导体芯片 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN107394581A, 申请日期: 2017-11-24, 公开日期: 2017-11-24
发明人: 克里斯托夫·艾希勒; 安德烈·佐默斯; 哈拉尔德·柯尼希; 贝恩哈德·施托耶茨; 安德烈亚斯·莱夫勒; 艾尔弗雷德·莱尔
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| 半导体芯片和用于制造半导体芯片的方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN107394583A, 申请日期: 2017-11-24, 公开日期: 2017-11-24
发明人: 艾尔弗雷德·莱尔; 安德烈亚斯·莱夫勒; 克里斯托夫·艾希勒; 贝恩哈德·施托耶茨; 安德烈·佐默斯
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| 具有覆层的激光器端面的激光二极管芯片 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN106063058A, 申请日期: 2016-10-26, 公开日期: 2016-10-26
发明人: 艾尔弗雷德·莱尔; 塞巴斯蒂安·特格尔; 索菲娅·赫普曼
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| 激光二极管装置 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN103326233B, 申请日期: 2016-01-06, 公开日期: 2016-01-06
发明人: 乌韦·施特劳斯; 森克·陶茨; 艾尔弗雷德·莱尔; 卡斯滕·奥恩; 克莱门斯·菲尔海利希
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| 激光二极管装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN105207052A, 申请日期: 2015-12-30, 公开日期: 2015-12-30
发明人: 艾尔弗雷德·莱尔; 森克·陶茨; 乌韦·施特劳斯; 克莱门斯·菲尔海利希
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| 用于制造半导体激光二极管的方法和半导体激光二极管 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN104685734A, 申请日期: 2015-06-03, 公开日期: 2015-06-03
发明人: 贝恩哈德·施托耶茨; 艾尔弗雷德·莱尔; 克里斯托夫·艾克勒
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