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半導体レーザ装置 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3202985B2, 申请日期: 2001-06-22, 公开日期: 2001-08-27
发明人:  大歳 創;  坂野 伸治;  魚見 和久;  茅根 直樹;  佐々木 真二
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半導体光素子および光通信システム 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP2889594B2, 申请日期: 1999-02-19, 公开日期: 1999-05-10
发明人:  魚見 和久;  大歳 創;  土屋 朋信;  佐々木 真二;  茅根 直樹
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埋込型半導体レーザ素子及びその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1995111361A, 申请日期: 1995-04-25, 公开日期: 1995-04-25
发明人:  山下 茂雄;  加藤 佳秋;  佐々木 真二;  依田 亮吉;  苅田 秀孝
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埋込型半導体レーザ素子及びその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1995111360A, 申请日期: 1995-04-25, 公开日期: 1995-04-25
发明人:  山下 茂雄;  依田 亮吉;  加藤 佳秋;  佐々木 真二;  苅田 秀孝
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半導体レーザ 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1995022692A, 申请日期: 1995-01-24, 公开日期: 1995-01-24
发明人:  魚見 和久;  佐々木 真二;  楠 浩典;  河野 敏弘;  土屋 朋信;  奥野 八重
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