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半導体エピタキシャル成長方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3325721B2, 申请日期: 2002-07-05, 公开日期: 2002-09-17
发明人:  久保 実;  西川 孝司;  佐々井 洋一
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半導體製造方法及其製造裝置 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: TW420835B, 申请日期: 2001-02-01, 公开日期: 2001-02-01
发明人:  西川 孝司;  佐佐井洋一;  北真;  北畠真
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半導体レーザおよびその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1999186646A, 申请日期: 1999-07-09, 公开日期: 1999-07-09
发明人:  宮永 良子;  上山 智;  吉井 重雄;  佐々井 洋一
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半導体素子、半導体発光素子及び半導体の製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1999163406A, 申请日期: 1999-06-18, 公开日期: 1999-06-18
发明人:  吉井 重雄;  佐々井 洋一;  上山 智;  齋藤 徹;  西川 孝司;  宮永 良子
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半導体素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1999112082A, 申请日期: 1999-04-23, 公开日期: 1999-04-23
发明人:  西川 孝司;  宮永 良子;  吉井 重雄;  齋藤 徹;  上山 智;  佐々井 洋一
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半導体の製造方法及びその製造装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1999074199A, 申请日期: 1999-03-16, 公开日期: 1999-03-16
发明人:  西川 孝司;  北畠 真;  佐々井 洋一
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半導体素子、半導体発光素子およびその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1999068251A, 申请日期: 1999-03-09, 公开日期: 1999-03-09
发明人:  吉井 重雄;  上山 智;  佐々井 洋一
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半導体発光素子およびその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1998303514A, 申请日期: 1998-11-13, 公开日期: 1998-11-13
发明人:  佐々井 洋一;  上山 智;  齋藤 徹;  辻村 歩;  西川 孝司;  横川 俊哉
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半導体発光素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1998112565A, 申请日期: 1998-04-28, 公开日期: 1998-04-28
发明人:  佐々井 洋一;  上山 智;  齋藤 徹;  辻村 歩;  西川 孝司
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II-VI族半導体素子及びその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1998107382A, 申请日期: 1998-04-24, 公开日期: 1998-04-24
发明人:  吉井 重雄;  横川 俊哉;  上山 智;  佐々井 洋一
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