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量子井戸半導体レーザ装置及びその製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3170601B2, 申请日期: 2001-03-23, 公开日期: 2001-05-28
发明人:  伊賀 健一;  羽鳥 伸明;  小山 二三夫
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電流狭窄層の形成方法および電流狭窄型面発光レ―ザ装置 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3020167B1, 申请日期: 2000-01-14, 公开日期: 2000-03-15
发明人:  伊賀 健一;  関口 茂昭;  小山 二三夫;  宮本 智之
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面発光レーザ装置 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP2952299B2, 申请日期: 1999-07-16, 公开日期: 1999-09-20
发明人:  伊賀 健一;  茨木 晃;  古沢 浩太郎;  石川 徹
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面発光型半導体レーザの製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP2934678B2, 申请日期: 1999-06-04, 公开日期: 1999-08-16
发明人:  伊賀 健一;  古沢 浩太郎;  茨木 晃;  石川 徹
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面発光型半導体レーザーの製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP2719631B2, 申请日期: 1997-11-21, 公开日期: 1998-02-25
发明人:  伊賀 健一;  古沢 浩太郎;  茨木 晃
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面発光型半導体レーザー装置 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP2717212B2, 申请日期: 1997-11-14, 公开日期: 1998-02-18
发明人:  伊賀 健一;  石川 徹;  茨木 晃;  古沢 浩太郎
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面発光型半導体レーザ装置 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP2717213B2, 申请日期: 1997-11-14, 公开日期: 1998-02-18
发明人:  伊賀 健一;  石川 徹;  古沢 浩太郎;  茨木 晃
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多重量子障壁構造を有する光素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1994268329A, 申请日期: 1994-09-22, 公开日期: 1994-09-22
发明人:  入川 理徳;  岩瀬 正幸;  佐々木 義高;  柏 享;  伊賀 健一
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半導体光素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1994244509A, 申请日期: 1994-09-02, 公开日期: 1994-09-02
发明人:  入川 理徳;  伊賀 健一
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