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面発光型半導体レーザの製造方法
其他题名面発光型半導体レーザの製造方法
伊賀 健一; 古沢 浩太郎; 茨木 晃; 石川 徹
1999-06-04
专利权人科学技術振興事業団
公开日期1999-08-16
授权国家日本
专利类型授权发明
摘要PURPOSE:To provide a flat surface-emission semiconductor laser with filled steps on a buried layer and a cover layer by forming a first GaAlAs layer and a GaAs over the buried layer and the cover layer, melting back the GaAs layer by liquid phase epitaxy, and forming a second GaAlAs layer. CONSTITUTION:A GaAlAs buffer layer 11 (p-Ga0.70Al0.30As) and a p-type GaAs cap layer 12 are formed over a buried layer B and a cover layer A by metal- organic vapor deposition or molecular beam epitaxy. The buffer layer 11 is selectively melt back to the cap layer 12 by liquid phase growth. After that, a second GaAlAs layer 13 (p-Ga0.70Al0.30As) is formed until the portion above the buried layer A becomes flat. Then, a p-type GaAs contact layer 14 is formed.
其他摘要用途：通过在埋层和覆盖层上形成第一GaAlAs层和GaAs，通过液相外延熔化GaAs层，在埋层和覆盖层上提供具有填充台阶的平面发射半导体激光器，并形成第二GaAlAs层。组成：通过金属有机气相沉积或分子束外延在掩埋层B和覆盖层A上形成GaAlAs缓冲层11（p-Ga0.70Al0.30As）和p型GaAs盖层12。缓冲层11通过液相生长选择性地熔化回到盖层12。之后，形成第二GaAlAs层13（p-Ga0.70Al0.30As），直到掩埋层A上方的部分变平。然后，形成p型GaAs接触层14。
申请日期1990-03-24
专利号JP2934678B2
专利状态失效
申请号JP1990074349
公开（公告）号JP2934678B2
IPC 分类号H01S | H01S5/00 | H01S5/183 | H01S3/18
专利代理人河野 登夫
代理机构-
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84272
专题半导体激光器专利数据库
作者单位科学技術振興事業団
推荐引用方式
GB/T 7714		 伊賀 健一,古沢 浩太郎,茨木 晃,等. 面発光型半導体レーザの製造方法. JP2934678B2[P]. 1999-06-04.
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