面発光レーザ装置

OPT OpenIR > 半导体激光器专利数据库

	面発光レーザ装置
其他题名	面発光レーザ装置
	伊賀健一; 茨木晃; 古沢浩太郎; 石川徹
	1999-07-16
专利权人	科学技術振興事業団
公开日期	1999-09-20
授权国家	日本
专利类型	授权发明
摘要	PURPOSE:To restrain a reactive current from flowing into a block layer so as to hold down optical loss which is induced halfway in an optical path by a method wherein a layer which is larger than an active layer in AlGaAs composition ratio and specified in thickness is included in a semiconductor multilayered film. CONSTITUTION:A first semiconductor multilayered film 2, an interposed layer 3, a second semiconductor multilayered film 4, a clad layer 5, an active layer 6, a clad layer 7, and a cap layer 8 are laminated on a substrate 1, a resist layer is formed on the center of the cap layer 8, an etching process is carried out using the resist layer as a mask as far as the surface of the multilayered film 2 to form a mesa. Using the resist layer as a mask, a first block layer 9 and a second block layer 10 are formed through a selective LPE burying growth method, and a P-type GaAs layer 11 is made to grow. Then, the masking layer is removed through etching, and then a flattening layer 12 and a contact layer 14 are laminated through a second LPE growth method. Lastly, the contact layer 14 is removed through etching, an SiO2 layer and a TiO2 layer are alternately laminated four times to construct a dielectric multilayered plate 13. The interposed layer 3 is set larger than the active layer 6 in AlAs composition ratio and as thick as lambda/2n, where lambda denotes oscillation wavelength and n is integral multiples of the refractive index of the layer 3.
其他摘要	用途：抑制无功电流流入阻挡层，以便通过一种方法抑制光路中途引起的光学损耗，其中一个层比AlGaAs组成比大且活性层厚，规定的厚度为包含在半导体多层膜中。组成：第一半导体多层薄膜2，插入层3，第二半导体多层薄膜4，包层5，有源层6，包层7和盖层8层叠在基板1上，抗蚀剂在盖层8的中心形成层，使用抗蚀剂层作为掩模进行蚀刻处理直至多层膜2的表面以形成台面。使用抗蚀剂层作为掩模，通过选择性LPE掩埋生长方法形成第一阻挡层9和第二阻挡层10，并使P型GaAs层11生长。然后，通过蚀刻去除掩模层，然后通过第二LPE生长方法层叠平坦化层12和接触层14。最后，通过蚀刻去除接触层14，交替层叠SiO 2层和TiO 2层四次以构成电介质多层板13.插入层3设置为比AlAs组成比大的有源层6大且厚作为λ/ 2n，其中λ表示振荡波长，n是层3的折射率的整数倍。
申请日期	1990-06-20
专利号	JP2952299B2
专利状态	失效
申请号	JP1990163441
公开（公告）号	JP2952299B2
IPC 分类号	H01S \| H01S5/18 \| H01S5/042 \| H01S5/00 \| H01S3/18
专利代理人	河野登夫
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83589
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	科学技術振興事業団
推荐引用方式 GB/T 7714	伊賀健一,茨木晃,古沢浩太郎,等. 面発光レーザ装置. JP2952299B2[P]. 1999-07-16.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP2952299B2.PDF（260KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文