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半導体結晶成長方法および半導体素子 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP2967719B2, 申请日期: 1999-08-20, 公开日期: 1999-10-25
发明人:  五明 明子;  堀田 等;  宮坂 文人
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半導体レーザ 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP2913652B2, 申请日期: 1999-04-16, 公开日期: 1999-06-28
发明人:  五明 明子
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半導体レーザ 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP2910251B2, 申请日期: 1999-04-09, 公开日期: 1999-06-23
发明人:  五明 明子
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半導体構造体及び半導体結晶成長方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1999087688A, 申请日期: 1999-03-30, 公开日期: 1999-03-30
发明人:  五明 明子
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半導体レ—ザ 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP2527024B2, 申请日期: 1996-06-14, 公开日期: 1996-08-21
发明人:  五明 明子
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半導体レーザ 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP1995077283B2, 申请日期: 1995-08-16, 公开日期: 1995-08-16
发明人:  堀田 等;  五明 明子;  宮坂 文人
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半導体レーザの製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1994252506A, 申请日期: 1994-09-09, 公开日期: 1994-09-09
发明人:  宮坂 文人;  堀田 等;  五明 明子
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