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半導体レ—ザ
其他题名半導体レ—ザ
五明 明子
1996-06-14
专利权人日本電気株式会社
公开日期1996-08-21
授权国家日本
专利类型授权发明
摘要PURPOSE:To prevent deterioration of end faces due to light absorption and damage thereof and thereby to attain high reliability and high output by a method wherein the end faces in the opposite ends of an active layer formed on a (001) plane are covered with a crystal in the same composition with the active layer by growth onto a plane equivalent to a (110) plane. CONSTITUTION:An n-type (Al0.4Ga0.6)0.5In0.5P clad layer 2, a Ga0.5In0.5P active layer 3, a p-type (Al0.4Ga0.6)0.5In0.5P clad layer 4 and a P type GaAs cap layer 5 are made to grow sequentially on a GaAs substrate 1 on a (001) plane. Thereafter a p-type electrode 6 is formed on the GaAs contact layer 5 and an n-type electrode 7 on the substrate 1 side. Cleavage is made so that the total length of a resonator be a prescribed length, and a Ga0.5In0.5P layer 8 is made to grow on a (110) plane of a cleavage plane or on a (-110) plane so that it covers the active layer 3 at least. This plane of growth is made to be an emission end face 9 of a semiconductor laser light. A semiconductor laser thus obtained is improved in reliability by reduction of deterioration of the end face, while optical breakdown of the end face is prevented, and thus a maximum light output can be improved.
其他摘要用途:为了防止由于光吸收和损坏引起的端面劣化,从而通过一种方法获得高可靠性和高输出,其中在(001)面上形成的有源层的相对端的端面被覆盖有通过在相当于(110)面的平面上生长,与活性层具有相同组成的晶体。组成:n型(Al0.4Ga0.6)0.5In0.5P包层2,Ga0.5In0.5P有源层3,p型(Al0.4Ga0.6)0.5In0.5P包层4和使P +型GaAs盖层5在(001)面上的GaAs衬底1上依次生长。之后,在GaAs接触层5和基板1侧的n型电极7上形成p型电极6。进行切割使得谐振器的总长度为规定长度,并使Ga0.5In0.5P层8在解理面的(110)面上或(-110)面上生长,使得它至少覆盖有源层3。该生长平面是半导体激光的发射端面9。这样获得的半导体激光器通过减小端面的劣化而提高了可靠性,同时防止了端面的光学击穿,因此可以提高最大光输出。
申请日期1989-02-13
专利号JP2527024B2
专利状态失效
申请号JP1989034025
公开(公告)号JP2527024B2
IPC 分类号H01S | H01S5/00 | H01S5/028 | H01S3/18
专利代理人京本 直樹 (外2名)
代理机构-
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85023
专题半导体激光器专利数据库
作者单位日本電気株式会社
推荐引用方式
GB/T 7714
五明 明子. 半導体レ—ザ. JP2527024B2[P]. 1996-06-14.
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