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半導体レーザ 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2006060258A, 申请日期: 2006-03-02, 公开日期: 2006-03-02
发明人:  佐野 直樹;  菅原 良一;  久野 裕也;  松井 武
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半導体発光素子 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3617129B2, 申请日期: 2004-11-19, 公开日期: 2005-02-02
发明人:  ラジェシュ·クマール;  久野 裕也;  竹内 聡
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半導体レーザ及びその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1995142811A, 申请日期: 1995-06-02, 公开日期: 1995-06-02
发明人:  加藤 久弥;  久野 裕也;  冨田 一義;  加納 浩之
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半導体レーザ 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1995142810A, 申请日期: 1995-06-02, 公开日期: 1995-06-02
发明人:  加藤 久弥;  久野 裕也;  冨田 一義;  加納 浩之
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