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半導体発光素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2000340841A, 申请日期: 2000-12-08, 公开日期: 2000-12-08
发明人:  内田 憲治;  後藤 順;  五島 滋雄;  丹羽 敦子
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化合物半導体のドライエッチング方法および化合物半導体素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2000232094A, 申请日期: 2000-08-22, 公开日期: 2000-08-22
发明人:  丹羽 敦子;  後藤 順;  内田 憲治;  五島 滋雄;  高濱 光治;  楊 涛
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半導体装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2000068598A, 申请日期: 2000-03-03, 公开日期: 2000-03-03
发明人:  黒田 崇郎;  大歳 創;  丹羽 敦子
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窒化物系化合物半導体の成長方法およびその発光素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1998335702A, 申请日期: 1998-12-18, 公开日期: 1998-12-18
发明人:  内田 憲治;  丹羽 敦子;  後藤 順;  河田 雅彦;  皆川 重量
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半導体レーザ 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1996195522A, 申请日期: 1996-07-30, 公开日期: 1996-07-30
发明人:  近藤 正彦;  丹羽 敦子;  魚見 和久;  佐川 みすず
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半導体発光素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1995254755A, 申请日期: 1995-10-03, 公开日期: 1995-10-03
发明人:  丹羽 敦子;  大歳 創;  辻 伸二
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