Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体発光素子 | |
| 其他题名 | 半導体発光素子 |
| 内田 憲治; 後藤 順; 五島 滋雄; 丹羽 敦子 | |
| 2000-12-08 | |
| 专利权人 | 株式会社日立製作所 |
| 公开日期 | 2000-12-08 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【課題】窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の発光効率及び信頼性を向上させること。 【解決手段】窒化ガリウム系化合物半導体により構成され、活性層106の発光領域の上部に位置するp型電極111と、その下部が接するp型Al0.1Ga0.9Nクラッド層107とを有し、p型電極111の一部分とp型Al0.1Ga0.9Nクラッド層107との間にSiO2膜からなる電極金属拡散防止用の誘電体膜110を配置した半導体発光素子。 |
| 其他摘要 | 一种氮化镓基化合物半导体发光器件，包括：基板; 解决方案：p型电极111，其由氮化镓基化合物半导体构成并且位于有源层106的发光区域上方，并且p型Al 0.1 Ga 0.9 N包覆层107，以及p型电极111的部分与p型Al 0.1 Ga 0.9 N包覆层107之间，SiO 2 膜构成的电极金属扩散的介电膜110。 |
| 申请日期 | 1999-05-27 |
| 专利号 | JP2000340841A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1999147395 |
| 公开（公告）号 | JP2000340841A |
| IPC 分类号 | H01L33/36 | H01S5/323 | H01S5/343 | H01L33/06 | H01S5/042 | H01L33/32 | H01S5/00 | H01L33/44 | H01L33/00 |
| 专利代理人 | 高橋 明夫 (外1名) |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84640 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社日立製作所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 内田 憲治,後藤 順,五島 滋雄,等. 半導体発光素子. JP2000340841A[P]. 2000-12-08. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP2000340841A.PDF（29KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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