Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体発光素子 | |
| 其他题名 | 半導体発光素子 |
| 丹羽 敦子; 大歳 創; 辻 伸二 | |
| 1995-10-03 | |
| 专利权人 | HITACHI LTD |
| 公开日期 | 1995-10-03 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【目的】p側電極のオーム性接触を可能にし、特性が安定で、短波長発光可能なII‐VI族半導体発光素子を提供すること。 【構成】上記目的は、少なくともII‐VI族化合物半導体によって構成し、p型 InP 基板上に導電型がp型であるクラッド層と活性層と導電型がn型であるクラッド層とをエピタキシャル成長させてなる半導体発光素子において、上記p型 InP 基板と上記活性層との間に Teを含む中間層を少なくとも1層設けたことを特徴とする半導体発光素子とすることによって達成することができる。 【効果】これによって、高密度光ディスク用光源、LED 代替光源、高感度レーザプリンタ用光源、ディスプレイ用光源などに適用できる半導体発光素子が得られる。 |
| 其他摘要 | [目的]提供一种II-VI族半导体发光器件，其能够与p侧电极欧姆接触，特性稳定，并且能够发射短波长光。 本发明的目的是在p型InP衬底上外延生长具有导电类型为p型的包层，有源层和具有n型导电类型的包层。半导体发光器件可以通过在p型InP衬底和有源层之间提供至少一个含有Te的中间层来实现。 结果，可以获得适用于高密度光盘光源，LED替代光源，高灵敏度激光打印机光源，显示光源等的半导体发光器件。 |
| 申请日期 | 1994-03-16 |
| 专利号 | JP1995254755A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1994046054 |
| 公开（公告）号 | JP1995254755A |
| IPC 分类号 | H01L33/12 | H01L33/06 | H01L33/30 | H01S5/00 | H01L33/44 | H01L33/28 | H01S3/18 | H01L33/00 |
| 专利代理人 | 中村 純之助 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/74832 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | HITACHI LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 丹羽 敦子,大歳 創,辻 伸二. 半導体発光素子. JP1995254755A[P]. 1995-10-03. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1995254755A.PDF（35KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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