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| II-VI族化合物半導体素子およびその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2010056119A, 申请日期: 2010-03-11, 公开日期: 2010-03-11
发明人: 岸野 克巳; 野村 一郎; 山口 恭司; 田才 邦彦; 中島 博; 中村 均; 藤崎 寿美子
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| 半導体素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2010045165A, 申请日期: 2010-02-25, 公开日期: 2010-02-25
发明人: 岸野 克巳; 野村 一郎; 玉村 好司; 田才 邦彦; 朝妻 庸紀; 中島 博; 中村 均; 藤崎 寿美子; 紀川 健
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| 半導体発光素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2010040923A, 申请日期: 2010-02-18, 公开日期: 2010-02-18
发明人: 岸野 克巳; 野村 一郎; 田才 邦彦; 玉村 好司; 朝妻 庸紀; 中島 博; 中村 均; 藤崎 寿美子; 紀川 健
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| 発光装置および画像出力装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2008244427A, 申请日期: 2008-10-09, 公开日期: 2008-10-09
发明人: 内田 裕行; 長沼 香; 若林 和弥; 古川 昭夫; 滝口 幹夫; 中島 博
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| レーザダイオード出力制御装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2002016315A, 申请日期: 2002-01-18, 公开日期: 2002-01-18
发明人: 永野 雄介; 岩林 一也; 中島 範智; 伊藤 学; 北尻 正広; 加藤 竹博; 百瀬 典英; 村上 哲
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| 半導体発光素子の製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2001345520A, 申请日期: 2001-12-14, 公开日期: 2001-12-14
发明人: 中島 博; 橋本 茂樹; 朝妻 庸紀
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| 高輝度発光半導体材料の作製方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2000261100A, 申请日期: 2000-09-22, 公开日期: 2000-09-22
发明人: 吉田 博; 中島 理志
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| 窒化物系III-V族化合物半導体層の成長方法、半導体装置の製造方法および半導体発光素子の製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2000164512A, 申请日期: 2000-06-16, 公开日期: 2000-06-16
发明人: 奥山 浩之; 中村 文彦; 中島 博
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| 半導体素子および半導体発光素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2010016232A, 公开日期: 2010-01-21
发明人: 岸野 克巳; 野村 一郎; 田才 邦彦; 玉村 好司; 朝妻 庸紀; 中島 博; 中村 均; 藤崎 寿美子; 紀川 健
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