中文版 | English

在结果中检索

OPT OpenIR

浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助

已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
外延晶片 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN102437265A, 申请日期: 2012-05-02, 公开日期: 2012-05-02
发明人:  中西文毅;  三浦祥纪
Adobe PDF(904Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：45/0  |  提交时间：2020/01/18
GaN衬底、带外延层的衬底、半导体器件及GaN衬底制造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN101350333A, 申请日期: 2009-01-21, 公开日期: 2009-01-21
发明人:  长田英树;  笠井仁;  石桥惠二;  中畑成二;  京野孝史;  秋田胜史;  三浦祥纪
Adobe PDF(1139Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：51/0  |  提交时间：2020/01/18
GaN衬底、带外延层的衬底、半导体器件及GaN衬底制造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN101345221A, 申请日期: 2009-01-14, 公开日期: 2009-01-14
发明人:  笠井仁;  石桥惠二;  中畑成二;  秋田胜史;  京野孝史;  三浦祥纪
Adobe PDF(774Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：53/0  |  提交时间：2020/01/18
发光器件、发光器件的晶片及其制造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN1171621A, 申请日期: 1998-01-28, 公开日期: 1998-01-28
发明人:  元木健作;  津充;  三浦祥纪
Adobe PDF(915Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：47/0  |  提交时间：2020/01/18