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| 半導体素子及び半導体素子の製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3905935B2, 申请日期: 2007-01-19, 公开日期: 2007-04-18
发明人: 板谷 和彦; 山本 雅裕; 小野村 正明; 藤本 英俊; 波多腰 玄一; 菅原 秀人; 石川 正行; ジョン·レニー; 斎藤 真司
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| 多層構造半導体装置 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3457468B2, 申请日期: 2003-08-01, 公开日期: 2003-10-20
发明人: ジョン·レニー; 波多腰 玄一; 斎藤 真司
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| 窒化ガリウム系化合物半導体素子 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3457516B2, 申请日期: 2003-08-01, 公开日期: 2003-10-20
发明人: 野崎 千晴; ジョン·レニー
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| 半導体レ—ザ素子およびその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2000196188A, 申请日期: 2000-07-14, 公开日期: 2000-07-14
发明人: ジョン·レニー; 笹沼 克信
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| 化合物半導体素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2000101142A, 申请日期: 2000-04-07, 公开日期: 2000-04-07
发明人: 笹沼 克信; 斎藤 真司; ジョン レニー
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| 半導体素子及びその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2000058919A, 申请日期: 2000-02-25, 公开日期: 2000-02-25
发明人: 笹 沼 克 信; ジョン レニー; 斎 藤 真 司
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| 低抵抗電極を有する半導体装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1999204887A, 申请日期: 1999-07-30, 公开日期: 1999-07-30
发明人: ジョン·レニー; 野崎 千晴
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| 窒化物化合物半導体発光素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1998294531A, 申请日期: 1998-11-04, 公开日期: 1998-11-04
发明人: 藤 本 英 俊; ジョン レニー; 山 本 雅 裕; 石 川 正 行; 布 上 真 也; 杉 浦 理 砂
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| 半導体レーザ及びその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1998294529A, 申请日期: 1998-11-04, 公开日期: 1998-11-04
发明人: 波多腰 玄一; 小野村 正明; ジョン·レニー; 鈴木 真理子; 布上 真也; 石川 正行
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| 窒化物系化合物半導体発光素子およびその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1998154851A, 申请日期: 1998-06-09, 公开日期: 1998-06-09
发明人: 斎 藤 真 司; 小野村 正 明; ジョン レニー; 波多腰 玄 一; 藤 本 英 俊
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