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A new method to grow high quality GaN film by MOCVD 期刊论文
ACTA PHYSICA SINICA, 2006, 卷号: 55, 期号: 7, 页码: 3606-3610
作者:  Peng Dong-Sheng;  Feng Yu-Chun;  Wang Wen-Xin;  Liu Xiao-Feng;  Shi Wei;  Niu Han-Ben
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Surface Treated  Mocvd  Lateral Epitaxial Overgrown(Leo)  Gan Film  
Growth and characterization of GaxIn1-xAs1-ySby epitaxial layers grown by LP-MOCVD 期刊论文
Proc. SPIE, 2006, 期号: 6029, 页码: 602912-1~6029126
作者:  Jingwei Wang;  Yiding Wang;  Tao Wang;  Shuren Yang;  Xiaoting Li;  Jingzhi Yin;  Xiaofeng Sai;  SaiHongkai Gao
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Lp-mocvd  Mismatched  Gainassb  Surface Morphology