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Effect of annealing on the electrophysical properties of CdTe/HgCdTe passivation interface by the capacitance-voltage characteristics of the metal-insulator-semiconductor structures 期刊论文
AIP ADVANCES, 2020, 卷号: 10, 期号: 10
作者:  Wang, Xi;  He, Kai;  Chen, Xing;  Li, Yang;  Lin, Chun;  Zhang, Qinyao;  Ye, Zhenhua;  Xin, Liwei;  Gao, Guilong;  Yan, Xin;  Wang, Gang;  Liu, Yiheng;  Wang, Tao;  Tian, Jinshou
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一种基于光电时空转换的微波信号模数转换方法及装置 专利
专利类型: 发明专利, 专利号: CN201811074537.7, 申请日期: 2018-09-14, 公开日期: 2019-02-12
发明人:  罗端;  田进寿;  惠丹丹;  刘兴钊;  王开志;  高叶盛;  陈立武;  温文龙;  王兴;  陈萍;  李立立
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