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一种具有电子阻挡层的GaSb基中红外激光器的外延结构 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN105281201A, 申请日期: 2016-01-27, 公开日期: 2016-01-27
发明人:  安宁;  刘国军;  刘超;  李占国;  刘鹏程;  何斌太;  常量;  马晓辉;  席文星
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异质掩埋激光器的制作方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN101888060A, 申请日期: 2010-11-17, 公开日期: 2010-11-17
发明人:  王宝军;  朱洪亮;  赵玲娟;  王圩;  潘教青;  陈娓兮;  梁松;  边静;  安心;  王伟
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选择区域外延制作电吸收调制分布反馈激光器的方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN1114977C, 申请日期: 2003-07-16, 公开日期: 2003-07-16
发明人:  刘国利;  王圩;  陈娓兮;  朱洪亮
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