Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 选择区域外延制作电吸收调制分布反馈激光器的方法 | |
| 其他题名 | 选择区域外延制作电吸收调制分布反馈激光器的方法 |
| 刘国利; 王圩; 陈娓兮; 朱洪亮 | |
| 2003-07-16 | |
| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 公开日期 | 2003-07-16 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | 一种选择区域外延制作电吸收调制分布反馈激光器的方法，在磷化铟衬底上淀积二氧化硅层；在图形衬底上生长多量子阱有源区；在激光器区域制作布拉格光栅，在调制器区域刻制窗口，同时得到刻蚀波导所需的刻蚀停止层；在激光器与调制器形成光限制和电限制单脊条形结构；刻蚀去掉激光器和调制器之间的接触层；蒸发绝缘介质膜；制作激光器和调制器的P面高频电极图形；减薄做N面电极；最后在器件的端面镀光学膜。 |
| 其他摘要 | 一种选择区域外延制作电吸收调制分布反馈激光器的方法，在磷化铟衬底上淀积二氧化硅层；在图形衬底上生长多量子阱有源区；在激光器区域制作布拉格光栅，在调制器区域刻制窗口，同时得到刻蚀波导所需的刻蚀停止层；在激光器与调制器形成光限制和电限制单脊条形结构；刻蚀去掉激光器和调制器之间的接触层；蒸发绝缘介质膜；制作激光器和调制器的P面高频电极图形；减薄做N面电极；最后在器件的端面镀光学膜。 |
| 申请日期 | 2000-07-06 |
| 专利号 | CN1114977C |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | CN00109780.6 |
| 公开（公告）号 | CN1114977C |
| IPC 分类号 | H01S5/00 | H01S5/026 |
| 专利代理人 | 汤保平 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/48118 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘国利,王圩,陈娓兮,等. 选择区域外延制作电吸收调制分布反馈激光器的方法. CN1114977C[P]. 2003-07-16. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN1114977C.PDF（414KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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