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中红外超晶格带间跃迁激光器及其制备方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN108988125A, 申请日期: 2018-12-11, 公开日期: 2018-12-11
发明人:  张一;  牛智川;  张宇;  徐应强;  杨成奥;  谢圣文;  邵福会;  尚金铭
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提高激光器寿命和发光效率的方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN108039645A, 申请日期: 2018-05-15, 公开日期: 2018-05-15
发明人:  谢圣文;  杨成奥;  张宇;  牛智川
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Visible-extended mid-infrared wide spectrum detector based on InAs/GaSb type-II superlattices (T2SL) 期刊论文
INFRARED PHYSICS & TECHNOLOGY, 2018, 卷号: 89, 页码: 147-153
作者:  Guo, Chunyan;  Sun, Yaoyao;  Jia, Zhe;  Jiang, Zhi;  Lv, Yuexi;  Hao, Hongyue;  Han, Xi;  Dong, Yinan;  Jiang, Dongwei;  Wang, Guowei;  Xu, Yingqiang;  Wang, Tao;  Tian, Jinshou;  Wu, Zhaoxin;  Niu, Zhichuan
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Wide Spectrum Detector  Microstructure  Inas/gasb Type-ii Superlattice  Photon Traps  
Surface passivation of 1550nm AlxInyAsSb avalanche photodiode 会议论文
Optoelectronic Devices and Integration VII, Beijing, China, 2018-10-11
作者:  Guo, Chunyan;  Lv, Yuexi;  Zheng, Da'nong;  Sun, Yaoyao;  Jiang, Zhi;  Jiang, Dongwei;  Wang, Guowei;  Xu, Yingqiang;  Wang, Tao;  Tian, Jinshou;  Wu, Zhaoxin;  Niu, Zhichuan
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Alxinyassb Avalanche Photodiode  Surface Passivation  Dark Current  Photocurrent